[发明专利]基于激光水射流的晶圆减薄设备及方法在审
申请号: | 201611261712.4 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN108269740A | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 三重野文健 | 申请(专利权)人: | 上海新昇半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/67 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201306 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种基于激光水射流的晶圆减薄设备及方法,包括:静电吸盘,适于吸附待减薄晶圆;水箱,位于静电吸盘一侧;水箱邻近静电吸盘的侧壁设有通孔,水箱中的水经由通孔形成射向待减薄晶圆的水射流;水箱远离静电吸盘的侧壁上设有贯穿水箱侧壁的第一透镜;激光发射装置,位于水箱远离静电吸盘一侧;激光发射装置适于发射水平激光束;第二透镜,位于水箱与激光发射装置之间;第二透镜与第一透镜适于将激光发射装置发射的水平激光束水平汇聚于水射流内,并与水射流一起至待减薄晶圆的边缘以对待减薄晶圆进行减薄。本发明的基于激光水射流的晶圆减薄设备通过使用激光束对待减薄晶圆进行减薄,操作简单、减薄速度较快、耗时较短、效率更高。 | ||
搜索关键词: | 减薄 晶圆 水箱 静电吸盘 透镜 激光发射装置 减薄设备 激光水 水射流 射流 水平激光束 侧壁 通孔 水箱侧壁 激光束 发射 吸附 耗时 邻近 汇聚 贯穿 | ||
【主权项】:
1.一种基于激光水射流的晶圆减薄设备,其特征在于,包括:静电吸盘,适于吸附待减薄晶圆;水箱,位于所述静电吸盘一侧,且与所述静电吸盘具有间距;所述水箱邻近所述静电吸盘的侧壁设有通孔,所述水箱中的水经由所述通孔形成射向所述待减薄晶圆的水射流;所述水箱远离所述静电吸盘的侧壁上设有贯穿所述水箱侧壁的第一透镜,所述第一透镜与所述通孔对应设置;激光发射装置,位于所述水箱远离所述静电吸盘一侧,且与所述水箱具有间距;所述激光发射装置适于发射水平激光束;第二透镜,位于所述水箱与所述激光发射装置之间,且与所述水箱及所述激光发射装置均具有间距;所述第二透镜与所述第一透镜配合使用,适于将所述激光发射装置发射的水平激光束水平汇聚于所述水射流内,并与所述水射流一起至所述待减薄晶圆的边缘以对所述待减薄晶圆进行减薄。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司,未经上海新昇半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611261712.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:多晶硅栅极的形成方法
- 下一篇:晶圆研磨方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造