[发明专利]STT－MRAM存储单元

摘要

本发明提供一种STT‑MRAM存储单元，包括选择晶体管和磁隧道结，所述选择晶体管包括衬底、第一掺杂区、第二掺杂区和栅极，所述磁隧道结包括铁磁金属自由层、铁磁金属固定层和势垒层，所述势垒层设置在所述铁磁金属自由层与所述铁磁金属固定层之间，所述磁隧道结设置在所述第一掺杂区上，所述铁磁金属固定层的磁矩方向固定不变，所述铁磁金属自由层的磁矩方向可改变。在本发明提供的STT‑MRAM存储单元中，通过将磁隧道结设置在选择晶体管的第一掺杂区上，从而提高了磁隧道结与选择晶体管之间的耦合强度，通过铁磁金属自由层及铁磁金属固定层的磁矩方向来实现读写操作，同时STT‑MRAM存储单元的结构可简化生产工艺，从而提高产品集成度和稳定性。

主权项

一种STT‑MRAM存储单元，其特征在于，所述STT‑MRAM存储单元包括选择晶体管和磁隧道结，所述选择晶体管包括衬底、第一掺杂区、第二掺杂区和栅极，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区位于所述衬底中，所述磁隧道结包括铁磁金属自由层、铁磁金属固定层和势垒层，所述势垒层设置在所述铁磁金属自由层与所述铁磁金属固定层之间，所述磁隧道结设置在所述第一掺杂区上，所述铁磁金属固定层的磁矩方向固定不变，所述铁磁金属自由层的磁矩方向可改变。