[发明专利]MEMS传感器封装结构及其形成方法有效
申请号: | 201611264764.7 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN106517085B | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
发明(设计)人: | 王之奇;王宥军;谢国梁;胡汉青 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高静;吴敏 |
地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种MEMS传感器封装结构及其形成方法,其中封装结构包括:基板,包括第一表面和相对的第二表面,基板具有互连线路;陀螺仪传感器、加速度传感器和磁感应传感器,均包括正面和相对的背面,所述陀螺仪传感器的正面包括若干第一外接焊盘,加速度传感器的正面包括若干第二外接焊盘,磁感应传感器的正面包括若干第三外接焊盘;陀螺仪传感器和加速度传感器安装在基板的第一表面,陀螺仪传感器的第一外接焊盘与第一互连线路电连接,加速度传感器的第二外接焊盘与第二互连线路电连接;所述磁感应传感器安装在基板的第二表面,磁感应传感器的第三外接焊盘与互连线路电连接。本发明的结构实现对传感器的集成封装并减小了封装结构的体积。 | ||
搜索关键词: | mems 传感器 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种MEMS传感器封装结构的形成方法,其特征在于,包括:提供一个基板,所述一个基板包括第一表面和相对的第二表面,所述一个基板具有互连线路;提供陀螺仪传感器、加速度传感器和磁感应传感器,所述陀螺仪传感器、加速度传感器和磁感应传感器均包括正面和相对的背面,所述陀螺仪传感器的正面包括若干第一外接焊盘,所述加速度传感器的正面包括若干第二外接焊盘,所述磁感应传感器的正面包括若干第三外接焊盘;将所述陀螺仪传感器和加速度传感器分别安装在基板的第一表面,陀螺仪传感器的第一外接焊盘通过第一金属连接结构与互连线路电连接,加速度传感器的第二外接焊盘通过第二金属连接结构与互连线路电连接;将所述磁感应传感器安装在基板的第二表面,磁感应传感器的第三外接焊盘通过第三金属连接结构与互连线路电连接;在所述基板的第二表面上形成若干焊接凸起,所述焊接凸起与互连线路电连接,焊接凸起用于与外部电路电连接,使得陀螺仪传感器、加速度传感器、磁感应触感器感应的电信号可以通过焊接凸起传出;其中,所述互连线路包括位于基板中的第一互连线路和第二互连线路,以及位于第二表面上的金属线路层,第一互连线路、第二互连线路与金属线路层相互绝缘,陀螺仪传感器的第一外接焊盘通过第一金属连接结构与第一互连线路电连接,加速度传感器的第二外接焊盘通过第二金属连接结构与第二互连线路电连接,磁感应传感器的第三外接焊盘通过第三金属连接结构与金属线路层电连接;在所述基板的第二表面上形成若干焊接凸起,所述焊接凸起包括第一焊接凸起、第二焊接凸起和第三焊接凸起,所述第一焊接凸起与第一互连线路电连接,第二焊接凸起与第二互连线路电连接,第三焊接凸起与金属线路层电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州晶方半导体科技股份有限公司,未经苏州晶方半导体科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611264764.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。