[发明专利]一种温度自补偿半导体压阻应变计在审
| 申请号： | 201611265272.X | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108267262A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 邱华诚;李绪国;皮兴才;闵夫;冯双;郭海潮 | 申请（专利权）人： | 中国空气动力研究与发展中心超高速空气动力研究所 |
| 主分类号： | G01L19/04 | 分类号： | G01L19/04 |
| 代理公司： | 核工业专利中心 11007 | 代理人： | 任超 |
| 地址： | 621000 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于传感技术领域，具体涉及一种温度自补偿的半导体压阻应变计，包括应变计基底、电极、敏感栅,以及在应变计使用过程中需要的直流电压源和检测元件，所述应变计基底为半导体材料，所述敏感栅由离子掺杂或扩散工艺在半导体材料上制作而成，所述敏感栅为两个或四个尺寸相同且相互正交的敏感电阻。本发明提出的应变计通过自身相互正交的敏感栅结构，能够实时补偿由半导体材料自身的电阻温度效应以及应变计和测试件受热膨胀导致的测量误差，能够满足风洞试验中温度变化的条件下对微小应变进行精确测量的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 应变计 敏感栅 半导体材料 温度自补偿 正交的 基底 压阻 半导体 测量 直流电压源 传感技术 风洞试验 扩散工艺 离子掺杂 敏感电阻 实时补偿 受热膨胀 温度效应 测试件 电极 电阻 检测 制作 | ||
【主权项】：
1.一种温度自补偿的半导体压阻应变计，其特征在于：所述应变计包括高阻n型硅基底，设置在基底上的四个电极及两条形状、尺寸相同的敏感栅A和敏感栅B，所述的敏感栅A和敏感栅B为将p型杂质定域离子注入或扩散到所述基底上形成的一层p型电阻层；两条敏感栅正交分离分布且每个敏感栅的两端分别与两个电极相连。
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