[发明专利]一种MEMS红外光源及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201611265716.X 申请日: 2016-12-30
公开(公告)号: CN106629577B 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 明安杰;刘卫兵;孙西龙;毛海央;陈大鹏 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 100029 北京市朝阳*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种MEMS红外光源及其制作方法,其中,MEMS红外光源包括衬底、支撑层、金属电极、热偶条结构层、加热电阻层、隔离保护层和辐射层,所述热偶条结构层形成在红外光源内部芯片,形成耦合热电堆形成温度传感器,采用热电堆耦合的温度传感器实时监测红外光源的辐射温度变化,由于热电堆耦合的温度传感器制作工艺成熟,测量精度高,温度测量范围大,具有高灵敏度和稳定性的优势,可有效提高NDIR系统的探测精度和分辨率,在NDIR气体传感领域有应用前景。由于MEMS红外光源的各个结构均可以采用CMOS或MEMS工艺制作,从而便于与MEMS红外光源内部芯片的制作工艺兼容,减小了MEMS红外光源的制作工艺难度。
搜索关键词: 一种 mems 红外 光源 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种MEMS红外光源,其特征在于,包括:衬底;位于所述衬底表面的支撑层;位于所述支撑层背离所述衬底表面的金属电极、热偶条结构层和加热电阻层,所述加热电阻层位于所述支撑层的中心区域,所述热偶条结构位于所述加热电阻层的相对两侧,所述金属电极位于所述加热电阻层的另外的相对两侧,且所述金属电极与所述加热电阻层欧姆接触;位于所述加热电阻层背离所述支撑层表面的隔离保护层;位于所述隔离保护层背离所述加热电阻层表面的辐射层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611265716.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top