[发明专利]一种MEMS红外光源及其制作方法有效
申请号: | 201611265716.X | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN106629577B | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 明安杰;刘卫兵;孙西龙;毛海央;陈大鹏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种MEMS红外光源及其制作方法,其中,MEMS红外光源包括衬底、支撑层、金属电极、热偶条结构层、加热电阻层、隔离保护层和辐射层,所述热偶条结构层形成在红外光源内部芯片,形成耦合热电堆形成温度传感器,采用热电堆耦合的温度传感器实时监测红外光源的辐射温度变化,由于热电堆耦合的温度传感器制作工艺成熟,测量精度高,温度测量范围大,具有高灵敏度和稳定性的优势,可有效提高NDIR系统的探测精度和分辨率,在NDIR气体传感领域有应用前景。由于MEMS红外光源的各个结构均可以采用CMOS或MEMS工艺制作,从而便于与MEMS红外光源内部芯片的制作工艺兼容,减小了MEMS红外光源的制作工艺难度。 | ||
搜索关键词: | 一种 mems 红外 光源 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种MEMS红外光源,其特征在于,包括:衬底;位于所述衬底表面的支撑层;位于所述支撑层背离所述衬底表面的金属电极、热偶条结构层和加热电阻层,所述加热电阻层位于所述支撑层的中心区域,所述热偶条结构位于所述加热电阻层的相对两侧,所述金属电极位于所述加热电阻层的另外的相对两侧,且所述金属电极与所述加热电阻层欧姆接触;位于所述加热电阻层背离所述支撑层表面的隔离保护层;位于所述隔离保护层背离所述加热电阻层表面的辐射层。
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