[发明专利]岩质边坡植被生长基质条件再造方法在审

专利信息
申请号: 201611266546.7 申请日: 2016-12-31
公开(公告)号: CN106665167A 公开(公告)日: 2017-05-17
发明(设计)人: 柴修伟;倪小山;阎要峰;杨美洪;许奎;徐亮;李智;赵军;李明义 申请(专利权)人: 武汉工程大学;湖北兴发化工集团股份有限公司
主分类号: A01G9/02 分类号: A01G9/02;A01G9/10;A01G1/00
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 代理人: 刘洋
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种岩质边坡植被生长基质条件再造方法。包括以下步骤:岩质边坡上按照与坡面法线夹角10°内的方向选位钻孔;在钻孔底部填装碎石厚度25‑35cm;中间填装沙土厚度25‑35cm;表层填装腐殖土厚度45‑55cm;将植被根部种植在腐殖土中。所述植被为沙地柏、铺地柏、爬山虎的任意一种或者混合。孔径为45‑55mm,孔深为0.95~1.25m,孔距为1‑1.4m,排距为1.3‑1.5m。本发明给植物的生长、根系延伸和充足的基质条件提供空间,而且所选取的孔网参数,是考虑到既不能破坏岩质边坡的自身稳定性,也要满足植物自身正常生长的空间和生长基质的需要。
搜索关键词: 岩质边坡 植被 生长 基质 条件 再造 方法
【主权项】:
岩质边坡植被生长基质条件再造方法,其特征在于包括以下步骤:1)岩质边坡上按照与坡面法线夹角10°内的方向选位钻孔;2)在钻孔底部填装碎石厚度25‑35cm;中间填装沙土厚度25‑35cm;表层填装腐殖土厚度45‑55cm;将植被根部种植在腐殖土中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉工程大学;湖北兴发化工集团股份有限公司,未经武汉工程大学;湖北兴发化工集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611266546.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top