[发明专利]硅片抛光方法在审
| 申请号： | 201611266972.0 | 申请日： | 2016-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN106670944A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 林涛 | 申请（专利权）人： | 上海合晶硅材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;B24D11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201616 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片抛光方法，所述硅片放置于大盘上并随大盘旋转；使用旋转的抛布研磨硅片表面以抛光；所述抛布为圆形形状切割多条边而成，相邻两条切边不重合；切割方法为垂直于径向切割抛布，切割长度为自圆周顶点向圆心方向切割的尺寸L为：抛头转速与大盘转速比×抛头直径与大盘直径比×硅片直径。本发明中的硅片抛光方法，将圆形的抛布边缘割除一部分部分，减少抛布与硅片的边缘接触面积，可降低在抛光过程中边缘的抛去量。使用本发明中的硅片抛光方法，硅片抛光不良率由3.4％降至0.5％。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 抛光 方法 | ||
【主权项】：
硅片抛光方法，其特征在于，所述硅片放置于大盘上并随大盘旋转；使用旋转的抛布研磨硅片表面以抛光；所述抛布为圆形形状切割多条边而成，相邻两条切边不重合；切割方法为垂直于径向切割抛布，切割长度为自圆周顶点向圆心方向切割的尺寸L为：抛头转速与大盘转速比×抛头直径与大盘直径比×硅片直径。
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