[发明专利]像素结构

摘要

本发明公开了一种像素结构，其包括：像素电极；主动开关，耦接于所述像素电极；共通线，跟所述像素电极之间形成有一第一存储电容；以及L形导电线，跟所述像素电极之间形成有一第二存储电容。本发明像素结构具有并列的多个存储电容同时保持像素结构的像素电压大小，减小多个寄生电容的影响，改善耦合效应的影响。

主权项

1.一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括：像素电极；主动开关，耦接于所述像素电极；共通线，跟所述像素电极之间形成有一第一存储电容；L形导电线，跟所述像素电极之间形成有一第二存储电容；第二L形导电线，其重叠于所述L形导电线上，所述第二L形导电线及所述L形导电线之间具有一绝缘层，以形成第三存储电容；第一导电层、第二导电层、以及第三导电层；其中，所述第一存储电容、第二存储电容以及第三存储电容是由第一导电层、第二导电层、以及第三导电层所形成，所述第一导电层和所述主动开关的漏极耦合；所述第二导电层和第一电压线耦合；所述第三导电层和第二电压线耦合，以形成所述L形导电线；所述第一导电层、第二导电层和第三导电层三者叠放且间隔设置，所述第一导电层、第二导电层和第三导电层三者在垂直空间上相互覆盖；所述第一导电层与所述第二导电层之间形成第一存储电容；所述第一导电层与所述第三导电层之间形成第二存储电容；所述第二导电层与所述第三导电层之间形成第三存储电容。