[发明专利]具有聚焦的电场的电阻式随机存取存储器单元

摘要

本文公开的实施例总体上涉及用于将电场聚焦在单元中心处的电阻式随机存取存储器(ReRAM)装置单元的电极结构及其制造方法。因此，可将非均匀金属电极沉积在ReRAM装置上，其随后在单元制造期间暴露于氧化或氮化工艺。电极结构可以是圆锥形或金字塔形，并且包括包含第一材料和第二材料的至少一个层，其中第一材料和第二材料的浓度基于电极内的位置而变化。形成金属电极轮廓，其有利于使单元中心作为具有最大电场的位置。因此，非易失性存储器组件的尺寸缩放和可靠性均增加。

主权项

一种电阻式随机存取存储器(ReRAM)装置，包括：包括多个层的多层金属电极结构，其中所述多个层中的每个层包括选自第一组的第一材料和选自第二组的第二材料，其中所述第一组由Ag、Au、Pt、Pd、Cu、Rh、或者其合金或混合物组成，并且其中所述第二组由Mg、Ta、TaN、Si、Al、Ti、TiN、W、Hf、Nb、Zr、或者其合金或混合物组成；以及切换介质，其中所述多个层中的最接近所述切换介质的第一层包括所述第二组的第二材料的最大浓度，并且其中所述多个层中的最远离所述切换介质的第二层包括所述第二组的第二材料的最低浓度。