[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201611272990.X | 申请日: | 2016-12-21 |
公开(公告)号: | CN106898658B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 郑寅道;许美姬;梁周弘;李恩珠;南正范 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 太阳能电池及其制造方法。本发明公开了一种太阳能电池,包括:半导体衬底;保护膜层,形成在半导体衬底的表面上;多晶半导体层,形成在保护膜层上方;第一导电区域,通过用第一导电掺杂剂选择性地掺杂半导体层形成;第二导电区域,掺杂有第二导电掺杂剂并且位于第一导电区域的相邻部分之间;势垒区域,位于第一导电区域与第二导电区域之间且不掺杂掺杂剂;第一电极,连接到第一导电区域;以及第二电极,连接到第二导电区域。第一导电区域和第二导电区域中的每一个包括具有与势垒区域不同的结晶结构的第二结晶区域,并且第一导电区域和第二导电区域的第二结晶区域包括具有不同深度的第二多晶区域和第四结晶区域。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池,所述太阳能电池包括:半导体衬底;保护膜层,所述保护膜层形成在所述半导体衬底的表面上;多晶半导体层,所述多晶半导体层形成在所述保护膜层上方;第一导电区域,所述第一导电区域通过用第一导电掺杂剂选择性地掺杂半导体层形成;第二导电区域,所述第二导电区域掺杂有第二导电掺杂剂并且位于所述第一导电区域的相邻部分之间;第一电极,所述第一电极连接到所述第一导电区域;以及第二电极,所述第二电极连接到所述第二导电区域,其中,所述第一导电区域和所述第二导电区域中的至少一个包括第一结晶区域和第二结晶区域,所述第一结晶区域与所述保护膜层接触并且具有第一晶粒尺寸,所述第二结晶区域通过所述多晶半导体层的一部分的再结晶形成并且具有大于所述第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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