[发明专利]一种基于磁记忆信号垂向特征分析的损伤状态识别方法有效
| 申请号： | 201618003452.5 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN113348756B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 王长龙;陈海龙;马晓琳;王永川;李永科;朱红运;闫云斌;高喜俊 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军陆军工程大学 |
| 主分类号： | G01N27/82 | 分类号： | G01N27/82 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210007 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于磁记忆信号垂向特征分析的损伤状态识别方法，利用磁梯度张量测量方法获取磁记忆信号变化信息，提取出磁场的不变信号特征，消除检测方向的影响；通过测量不同提离值下的磁记忆信号平面分布，获得损伤区域磁场垂向分布特征，消除提离值和试件物理状态因素的影响；通过分析裂纹和应力集中的磁记忆信号垂向分布差异，可以实现损伤状态的准确识别。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 记忆 信号 特征 分析 损伤 状态 识别 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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