[实用新型]一种MEMS多晶硅纳米膜压力传感器芯片有效
| 申请号： | 201620001545.9 | 申请日： | 2016-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN205449349U | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 王健;揣荣岩 | 申请（专利权）人： | 沈阳化工大学 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L9/06 |
| 代理公司： | 沈阳技联专利代理有限公司 21205 | 代理人： | 张志刚 |
| 地址： | 110142 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种MEMS多晶硅纳米膜压力传感器芯片，涉及一种传感器芯片，本实用新型传感器芯片，包括单晶硅衬底(1),在硅衬底上设置剖面为平坦型多晶硅的感压膜（4）,以二氧化硅为牺牲层在感压膜和衬底之间形成的密闭空腔(2)，在感压膜（4）上表面设有四个多晶硅纳米膜力敏电阻（5），力敏电阻（5）、感压膜（4）与金属导线之间为绝缘层（7）隔离，四个力敏电阻（5）通过金属导线连接成惠斯通电桥，将压力转换成电压输出，感压膜（4）边缘外设置有密封的腐蚀孔（3）。本实用新型具有线性度和灵敏度高、工作温度范围宽、过载能力强、工艺简单和成本低等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 多晶 纳米 压力传感器 芯片 | ||
【主权项】：
一种MEMS多晶硅纳米膜压力传感器芯片，其特征在于：所述芯片包括单晶硅衬底（1），在单晶硅衬底（1）上设置剖面为平坦型的感压膜（4），感压膜（4）与单晶硅衬底（1）相连并在二者之间构成密闭空腔（2），感压膜（4）边缘外四周设置有腐蚀孔（3），在感压膜（4）上面设有四个力敏电阻（5），四个力敏电阻（5）通过金属导线（6）连接成惠斯通电桥，将压力转换成电压输出。
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