[实用新型]一种新型的上电浪涌电流抑制电路有效

专利信息
申请号: 201620007877.8 申请日: 2016-01-07
公开(公告)号: CN205490113U 公开(公告)日: 2016-08-17
发明(设计)人: 潘永雄;郑明治;陈林海;黄明旭;徐思蔚 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32;H02H9/02
代理公司: 广州市红荔专利代理有限公司 44214 代理人: 张文
地址: 510006 广东省广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种新型的上电浪涌电流抑制电路,其包括供电电路、浪涌电流抑制电阻端电压取样及比较电路、泄放电阻、MOS管、浪涌电流抑制电阻和可选小容量高频滤波电容;供电电路包括整流二极管、储能滤波电容和降压限压电路;浪涌电流抑制电阻端电压取样及比较电路包括第一端电压取样电阻、第二端电压取样电阻、基准电压源和比较器;MOS管的漏极接DC‑DC变换器,源极接整流桥的负端,栅极接供电电路的输出端,供电电路的输入端接交流电N或L端;浪涌电流限制电阻并接在MOS管的漏极和源极;泄放电阻并接在MOS管的栅极和源极;可选小容量高频滤波电容接在整流桥的正端和负端之间。本申请更好地抑制了上电浪涌电流,MOS管驱动电路功耗低,启动速度快,允许再上电时间短。
搜索关键词: 一种 新型 浪涌 电流 抑制 电路
【主权项】:
一种新型的上电浪涌电流抑制电路,其特征在于:其包括供电电路、浪涌电流抑制电阻端电压取样及比较电路、泄放电阻、低导通电阻N沟功率MOS管、浪涌电流抑制电阻和小容量高频滤波电容;供电电路包括整流二极管、储能滤波电容和降压限压电路;浪涌电流抑制电阻端电压取样及比较电路包括第一端电压取样电阻、第二端电压取样电阻、基准电压源和比较器;低导通电阻N沟功率MOS管的漏极接DC‑DC变换器或DC‑DC变换器初级侧公共电位参考点,源极接整流桥的负端,栅极接降压限压电路的输出端;DC‑DC变换器的两端之间还接有输入滤波电容;浪涌电流限制电阻的两端分别接低导通电阻N沟功率MOS管的漏极和源极;泄放电阻的两端分别接低导通电阻N沟功率MOS管的栅极和源极;第一端电压取样电阻的一端接低导通电阻N沟功率MOS管的漏极,另一端接比较器的反相输入端;第二端电压取样电阻的一端接低导通电阻N沟功率MOS管的源极,另一端接比较器的反相输入端;基准电压源的负极接低导通电阻N沟功率MOS的源极,正极接比较器的同相输入端;比较器的输出端接低导通电阻N沟功率MOS管的栅极;整流二极管的正极接交流输入线的L端或交流输入线的N端;整流二极管的负极接降压限压电路的输入端;储能滤波电容的一端接低导通电阻N沟功率MOS管的源极,另一端接在整流二极管和降压限压电路之间或者接在降压限压电路和低导通电阻N沟功率MOS管之间;小容量高频滤波电容的两端分别接整流桥的正端和负端。
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