[实用新型]具有防静电保护结构的低压MOSFET器件有效
| 申请号： | 201620009622.5 | 申请日： | 2016-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN205319162U | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周永珍 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;张涛 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种具有防静电保护结构的低压MOSFET器件，其静电保护区包括位于第一导电类型漂移区内上部的第二导电类型阱区以及位于所述第二导电类型阱区上方的绝缘支撑层，所述第二导电类型阱区贯穿终端保护区，绝缘支撑层位于半导体基板的第一主面上并与所述第二导电类型阱区相接触；在所述绝缘支撑层上设有多晶硅二极管组，所述多晶硅二极管组包括第一二极管以及第二二极管，所述第一二极管的阴极端与第二二极管的阴极端连接，第一二极管的阳极端与上方的栅极金属欧姆接触，第二二极管的阳极端与上方的源极金属欧姆接触。本实用新型结构紧凑，与现有工艺步骤兼容，提高具有ESD保护的器件耐压，降低制造成本，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 静电 保护 结构 低压 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
一种具有静电保护结构的低压MOSFET器件，在所述MOSFET器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的元胞区以及终端保护区，所述元胞区位于半导体基板的中心区，终端保护区位于元胞区的外圈并环绕包围所述元胞区；所述终端保护区包括紧邻元胞区的静电保护区；在所述MOSFET器件的截面上，所述半导体基板包括位于上方的第一导电类型漂移区以及位于下方的第一导电类型衬底，所述第一导电类型衬底邻接第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区的上表面形成半导体基板的第一主面，第一导电类型衬底的下表面形成半导体基板的第二主面；其特征是：在所述MOSFET器件的截面上，所述静电保护区包括位于第一导电类型漂移区内上部的第二导电类型阱区以及位于所述第二导电类型阱区上方的绝缘支撑层，所述第二导电类型阱区贯穿终端保护区，绝缘支撑层位于半导体基板的第一主面上并与所述第二导电类型阱区相接触；在所述绝缘支撑层上设有多晶硅二极管组，所述多晶硅二极管组包括第一二极管以及第二二极管，所述第一二极管的阴极端与第二二极管的阴极端连接，第一二极管的阳极端与上方的栅极金属欧姆接触，第二二极管的阳极端与上方的源极金属欧姆接触。
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