[实用新型]集成电路装置有效
| 申请号： | 201620024133.7 | 申请日： | 2016-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN205752158U | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | E·F·希欧多尔;I·C·迈克尔 | 申请（专利权）人： | 硅源公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 李琳;许向彤 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种集成电路装置，包括具有电介质结构和导电结构的第一衬底。离子注入到所述第一衬底中，所述离子穿过所述电介质结构和所述导电结构以限定所述第一衬底中的分离平面。所述第一衬底在所述分离平面被分离以获得具有所述电介质结构和所述导电结构的分离层。所述分离层用于形成具有多个堆叠集成电路(IC)层的三维集成电路装置，所述分离层为所述堆叠的集成电路层之一。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
一种集成电路装置，包括：第一衬底，具有电介质结构、导电结构和第一互连结构，所述第一衬底包括在与所述第一互连结构相对的一侧上的分离表面；粘结氧化层；以及第二衬底，包括第二互连结构，所述第二互连结构粘结在所述第一衬底上并且与所述第一互连结构连通以形成具有多个堆叠集成电路层的三维集成电路装置，所述第一衬底为所述堆叠集成电路层中的一个，并且所述第二衬底为所述堆叠集成电路层中的另一个。
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