[实用新型]一种GaN基双异质结HEMT器件有效
| 申请号： | 201620030231.1 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN205376535U | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 陈效双;姚路驰;王林;胡伟达;陆卫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/15;H01L29/205;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本专利公开了一种GaN基双异质结HEMT器件，其结构依次为：蓝宝石衬底上依次形成的GaN缓冲层、AlInN势垒层、GaN沟道层、AlGaN隔离层、AlGaN势垒层，AlGaN栅介质层，AlGaN栅介质层上形成的源极、栅极和漏极，以及源极和栅极之间形成的Si3N4源栅绝缘层、源极和漏极之间形成的Si3N4漏栅绝缘层。其特征是，在传统GaN HEMT器件的GaN缓冲层和GaN沟道层之间加入一层AlInN势垒层，利用AlInN材料的压电极化性质降低器件的电流崩塌效应，并形成AlGaN/GaN/AlInN量子阱结构，进一步提高了对二维电子气的束缚力，从而降低电流坍塌效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 基双异质结 hemt 器件 | ||
【主权项】：
一种GaN基双异质结HEMT器件，其结构为：在蓝宝石衬底(12)上依次是GaN缓冲层(11)、AlInN势垒层(10)、GaN沟道层(9)、AlGaN隔离层(8)、AlGaN势垒层(7)，AlGaN栅介质层(6)，源极(1)、栅极(2)和漏极(3)在AlGaN栅介质层(6)上，在源极(1)和栅极(2)之间有Si3N4源栅绝缘层(4)、在源极(1)和漏极(3)之间有Si3N4漏栅绝缘层(5)，源极(1)和漏极(3)分别与AlGaN栅介质层(6)形成欧姆接触，栅极(2)与AlGaN栅介质层(6)形成肖特基接触，其特征在于：在所述的GaN缓冲层(11)和GaN沟道层(9)之间采用可降低器件自加热效应和电流坍塌效应的AlInN势垒层(10)，厚度为3‑5nm；所述GaN沟道层(9)的厚度为20nm。
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