[实用新型]一种高HTRB的高压快恢复二极管芯片有效

专利信息
申请号: 201620032556.3 申请日: 2016-01-13
公开(公告)号: CN205508830U 公开(公告)日: 2016-08-24
发明(设计)人: 孙澜;刘韵吉;杨敏红;单慧 申请(专利权)人: 桑德斯微电子器件(南京)有限公司
主分类号: H01L29/868 分类号: H01L29/868;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/329
代理公司: 南京知识律师事务所 32207 代理人: 蒋海军
地址: 211113 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种高HTRB的高压快恢复二极管芯片,属于半导体芯片领域。一种高HTRB的高压快恢复二极管芯片,包括芯片、N+截止环、终端结构和P+阳极,所述的芯片为快恢复二极管芯片;芯片截层从右向左依次为芯片、N+截止环、终端结构和P+阳极。采用偏置金属场板场限环和浮动场限环的复合终端结构,在远离P+阳极区域采用偏置金属场板场限环,短路了芯片表面电荷,解决了高压快恢复二极管在HTRB老化中耐压衰减失效问题,在靠近P+阳极区域采用浮动场限环,避免引入多晶场板,从而节省了芯片制造成本。它具有高HTRB可靠性,低成本,击穿电压高,漏电流小,开关损耗低的优点,延长了二极管的寿命。
搜索关键词: 一种 htrb 高压 恢复 二极管 芯片
【主权项】:
一种高HTRB的高压快恢复二极管芯片,包括芯片(1),其特征在于:还包括N+截止环(2)、复合终端结构(3)和P+阳极(4),所述的芯片(1)为快恢复二极管芯片;芯片截层从右向左依次为芯片(1)、N+截止环(2)、复合终端结构(3)和P+阳极(4),所述的复合终端结构(3)为偏置金属场板场限环(32)和浮动场限环(31),所述的浮动场限环(31)靠近P+阳极(4)一侧,偏置金属场板场限环(32)靠近N+截止环(2)一侧。
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