[实用新型]一种硅基GaN外延结构有效
| 申请号： | 201620035500.3 | 申请日： | 2016-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN205385025U | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰;陈汝钦 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种硅基GaN外延结构，包括P型Si衬底、位于P型Si衬底之上的成核层、位于成核层之上的N型GaN半导体层以及位于N型GaN半导体层之上的GaN器件，GaN器件最底层的材料N型GaN半导体层的材料相同；其中，成核层与N型GaN半导体层一起，在与P型Si衬底接触处形成PN结。通过上述方式，本实用新型能够利用PN结的空间耗尽区，减少GaN器件的漏电流，提高GaN器件的性能，如击穿特性等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种硅基GaN外延结构，其特征在于，包括：P型Si衬底；成核层，所述成核层位于所述P型Si衬底之上；N型GaN半导体层，所述N型GaN半导体层位于所述成核层之上；GaN器件，所述GaN器件位于所述N型GaN半导体层之上，所述GaN器件最底层的材料与所述N型GaN半导体层的材料相同；其中，所述成核层与所述N型GaN半导体层一起，在与所述P型Si衬底接触处形成PN结。
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