[实用新型]硅基电光调制器掺杂结构有效
| 申请号： | 201620040801.5 | 申请日： | 2016-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN205485142U | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 周治平;李心白 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种硅基电光调制器掺杂结构，该掺杂结构包括：硅基电光调制器调制区波导，所述波导沿横向依次包括第一重掺杂区、第二轻掺杂区、第三轻掺杂区以及第四重掺杂区，所述横向垂直于所述波导的凸条区延伸方向；所述第二轻掺杂区与所述第三轻掺杂区形成至少一个纵向PN结和至少一个横向PN结，所述纵向垂直于所述横向；所述第二轻掺杂区通过所述第一重掺杂区进行电学连接；所述第三轻掺杂区通过所述第四重掺杂区进行电学连接。本实用新型可在提高硅基电光调制器的调制效率的同时降低调制能耗，并可使波导核心区的每一个掺杂区均可直接通过侧向波导实现电学连接，保证系统高速调制性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电光 调制器 掺杂 结构 | ||
【主权项】：
一种硅基电光调制器掺杂结构，其特征在于，包括：硅基电光调制器调制区波导，所述波导沿横向依次包括第一重掺杂区、第二轻掺杂区、第三轻掺杂区以及第四重掺杂区，所述横向垂直于所述波导的凸条区延伸方向；所述第二轻掺杂区与所述第三轻掺杂区形成至少一个纵向PN结和至少一个横向PN结，所述纵向垂直于所述横向；所述第二轻掺杂区通过所述第一重掺杂区进行电学连接；所述第三轻掺杂区通过所述第四重掺杂区进行电学连接；其中，所述第一重掺杂区的掺杂类型与所述第二轻掺杂区的掺杂类型相同；所述第一重掺杂区的掺杂类型与所述第四重掺杂区的掺杂类型相反；所述第三轻掺杂区的掺杂类型与所述第四重掺杂区的掺杂类型相同。
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