[实用新型]一种发光二极管芯片的电极及发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201620053783.4 | 申请日： | 2016-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN205488194U | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 刘源;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种发光二极管芯片的电极及发光二极管芯片，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括外延片和电极，电极包括依次层叠在外延片上的Cr膜层、第一Ti膜层、Ni膜层、第二Ti膜层、Al膜层，第一Ti膜层与外延片贴合形成密封空间，Cr膜层位于密封空间内。本实用新型通过第一Ti膜层与外延片贴合形成密封空间，Cr膜层位于密封空间内，利用第一Ti膜层对Cr膜层形成良好的保护，将到达LED芯片表面的水汽与Cr膜层隔绝，避免水汽影响Cr膜层与外延片之间的粘附力，保障电极高湿反向通电环境中性能稳定、不会发生脱落，大幅提升了电极高湿反向通电条件下的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 电极 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片的电极，所述发光二极管芯片包括外延片和电极，其特征在于，所述电极包括依次层叠在所述外延片上的Cr膜层、第一Ti膜层、Ni膜层、第二Ti膜层、Al膜层，所述第一Ti膜层与所述外延片贴合形成密封空间，所述Cr膜层位于所述密封空间内。
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