[实用新型]平面双面电极模拟光电探测器芯片

摘要

本实用新型提出了一种平面双面电极模拟光电探测器芯片，包括：正负极焊盘；外延片，设置在正负极焊盘上，所述外延片包括：S半绝缘型InP半导体衬底、在所述S半绝缘型InP半导体衬底上依序生成的缓冲层、吸收层、过渡层、顶层，以及在所述吸收层、所述过渡层与所述顶层中形成掺杂光敏区和在所述过渡层与所述顶层中形成限制沟；钝化膜层，形成在所述顶层、所述掺杂光敏区和所述限制沟上；增透过渡薄膜层，形成在所述钝化膜层上；n型电极金属层，形成在所述外延片的背面；P型电极金属层，形成在所述增透过渡薄膜层与所述掺杂光敏区的部分表面上。如此，可以有效地降低模拟光电探测器芯片的失真，同时提高模拟光电探测器芯片的带宽、成品率和可靠性。

主权项

一种平面双面电极模拟光电探测器芯片，其特征在于，包括：正负极焊盘；外延片，设置在所述正负极焊盘上，所述外延片包括：S半绝缘型InP半导体衬底、在所述S半绝缘型InP半导体衬底上依序生成的缓冲层、吸收层、过渡层、顶层，以及在所述吸收层、所述过渡层与所述顶层中形成掺杂光敏区和在所述过渡层与所述顶层中形成限制沟；钝化膜层，形成在所述顶层、所述掺杂光敏区和所述限制沟上；增透过渡薄膜层，形成在所述钝化膜层上；n型电极金属层，形成在所述外延片的背面；P型电极金属层，形成在所述增透过渡薄膜层与所述掺杂光敏区的部分表面上。