[实用新型]一种电迁移测试结构有效
| 申请号： | 201620065682.9 | 申请日： | 2016-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN205376473U | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 陈芳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种电迁移测试结构，包括：位于第一金属层的金属线，所述金属线的两端分别通过第一通孔及第二通孔连接至第二金属层，所述第一通孔及所述第二通孔的两端分别连接位于所述第一金属层及所述第二金属层中的测试端。本实用新型的电迁移测试结构不会多占用晶圆上的宝贵面积，也不会增加测试结构的制作成本，提高了晶圆的利用率，降低了测试成本，有效保证半导体结构的质量和可靠性，大大提高了半导体器件的良品率，此外，还提供散热通道，提高了测试的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 迁移 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种电迁移测试结构，其特征在于，所述电迁移测试结构至少包括：位于第一金属层的金属线，所述金属线的两端分别通过第一通孔及第二通孔连接至第二金属层，所述第一通孔及所述第二通孔的两端分别连接位于所述第一金属层及所述第二金属层中的测试端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
