[实用新型]一种凹嵌式发光单元有效
| 申请号： | 201620066603.6 | 申请日： | 2016-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN205488190U | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 牛宝 | 申请（专利权）人： | 河北易贝信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 065500 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种凹嵌式发光单元，基材上设置有两个U形沟槽，基材为硅衬底，缓冲层成型在基材的表面及U形沟槽上，下化合物层成型在缓冲层上，量子阱层成型在下化合物层上，上化合物层成型在量子阱层上，量子阱层可以在下化合物层和上化合物层之间形成量子阱电载波，保护层覆盖U形沟槽，不覆盖上电极和下电极，上化合物层上成型有电流扩散层，欧姆接触层覆盖于电流扩散层上，欧姆接触层上成型透明导电层。对于形成在沟槽中的结构的优点是，在从U形的沟槽的垂直表面上的光发射可以比平坦表面更强，发光效率从而可以显著增加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 凹嵌式 发光 单元 | ||
【主权项】：
一种凹嵌式发光单元，其特征在于：基材上设置有两个U形沟槽，基材为硅衬底，缓冲层成型在基材的表面及U形沟槽上，下化合物层成型在缓冲层上，量子阱层成型在下化合物层上，上化合物层成型在量子阱层上，量子阱层可以在下化合物层和上化合物层之间形成量子阱电载波，保护层覆盖U形沟槽，不覆盖上电极和下电极，上化合物层上成型有电流扩散层，欧姆接触层覆盖于电流扩散层上，欧姆接触层上成型透明导电层，上化合物层在U形沟槽一侧相对下化合物层具有凸起，上电极连接于上化合物凸起处，U形沟槽另一侧为两U形沟槽相邻处，该处设置有下电极，下电极搭接在基材上方两侧与下化合物层连通。
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