[实用新型]基于不等式约束的无辅助电容式单箝位MMC自均压拓扑有效
| 申请号： | 201620068878.3 | 申请日： | 2016-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN206099810U | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 赵成勇;刘航;许建中 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | H02M7/49 | 分类号： | H02M7/49;H02M1/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102206 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供基于不等式约束的无辅助电容式单箝位MMC自均压拓扑。单箝位MMC自均压拓扑，由单箝位MMC模型和自均压辅助回路联合构建。单箝位MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个IGBT模块发生电气联系，IGBT模块触发，两者构成基于不等式约束的无辅助电容式单箝位MMC自均压拓扑，IGBT模块闭锁，拓扑等效为单箝位MMC拓扑。该单箝位MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值，实现单箝位MMC的基频调制。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 不等式 约束 辅助 电容 箝位 mmc 拓扑 | ||
【主权项】：
基于不等式约束的无辅助电容式单箝位MMC自均压拓扑，其特征在于：包括由A、B、C三相构成的单箝位MMC模型，A、B、C三相分别由2N个单箝位子模块，2个桥臂电抗器串联而成；包括由6N个IGBT模块，6N+1个钳位二极管构成的自均压辅助回路。
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