[实用新型]基于不等式约束的辅助电容集中式全桥MMC自均压拓扑有效

专利信息
申请号: 201620068889.1 申请日: 2016-01-25
公开(公告)号: CN205754039U 公开(公告)日: 2016-11-30
发明(设计)人: 赵成勇;许建中;刘航 申请(专利权)人: 华北电力大学
主分类号: H02M7/483 分类号: H02M7/483;H02M7/5387
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 102206 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型提供基于不等式约束的辅助电容集中式全桥MMC自均压拓扑。全桥MMC自均压拓扑,由全桥MMC模型和自均压辅助回路联合构建。全桥MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个IGBT模块发生电气联系,IGBT模块触发,两者构成基于不等式约束的辅助电容集中式全桥MMC自均压拓扑;IGBT模块闭锁,拓扑等效为全桥MMC拓扑。该全桥MMC自均压拓扑,可以箝位直流侧故障,同时不依赖于专门的均压控制,能够在完成交直流能量转换的基础上,自发地实现子模块电容电压的均衡,同时能相应降低子模块触发频率和电容容值,实现全桥MMC的基频调制。
搜索关键词: 基于 不等式 约束 辅助 电容 集中 式全桥 mmc 拓扑
【主权项】:
基于不等式约束的辅助电容集中式全桥MMC自均压拓扑,其特征在于:包括由A、B、C三相构成的全桥MMC模型,A、B、C三相每个桥臂分别由N个全桥子模块及1个桥臂电抗器串联而成;包括由6N个IGBT模块,6N+7个箝位二极管,4个辅助电容C1C2C3C4,2个辅助IGBT模块T1T2构成的自均压辅助回路。
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