[实用新型]基于不等式约束的辅助电容集中式全桥MMC自均压拓扑有效
申请号: | 201620068889.1 | 申请日: | 2016-01-25 |
公开(公告)号: | CN205754039U | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 赵成勇;许建中;刘航 | 申请(专利权)人: | 华北电力大学 |
主分类号: | H02M7/483 | 分类号: | H02M7/483;H02M7/5387 |
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地址: | 102206 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供基于不等式约束的辅助电容集中式全桥MMC自均压拓扑。全桥MMC自均压拓扑,由全桥MMC模型和自均压辅助回路联合构建。全桥MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个IGBT模块发生电气联系,IGBT模块触发,两者构成基于不等式约束的辅助电容集中式全桥MMC自均压拓扑;IGBT模块闭锁,拓扑等效为全桥MMC拓扑。该全桥MMC自均压拓扑,可以箝位直流侧故障,同时不依赖于专门的均压控制,能够在完成交直流能量转换的基础上,自发地实现子模块电容电压的均衡,同时能相应降低子模块触发频率和电容容值,实现全桥MMC的基频调制。 | ||
搜索关键词: | 基于 不等式 约束 辅助 电容 集中 式全桥 mmc 拓扑 | ||
【主权项】:
基于不等式约束的辅助电容集中式全桥MMC自均压拓扑,其特征在于:包括由A、B、C三相构成的全桥MMC模型,A、B、C三相每个桥臂分别由N个全桥子模块及1个桥臂电抗器串联而成;包括由6N个IGBT模块,6N+7个箝位二极管,4个辅助电容C1、C2、C3、C4,2个辅助IGBT模块T1、T2构成的自均压辅助回路。
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