[实用新型]一种三明治结构的ZnON薄膜有效
| 申请号： | 201620088085.8 | 申请日： | 2016-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN206076241U | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 叶建东;程丽娜;朱顺明;汤琨;任芳芳;顾书林;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L21/363 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种采用三明治结构的ZnON薄膜，三明治结构的ZnON薄膜的基底上的夹层为富氮ZnON薄膜，富氮ZnON薄膜厚度为20‑150纳米，夹层上部的覆盖层为富氧ZnON薄膜，富氧ZnON薄膜层厚为5‑30纳米，基底为硅片、石英、玻璃或柔性衬底。三明治结构中夹层富氮ZnON和原位制备覆盖层富氧ZnON，提高了晶体管沟道层的稳定性，抑制后续晶体管器件的功能老化衰退。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三明治 结构 znon 薄膜 | ||
【主权项】：
一种三明治结构的ZnON薄膜，其特征在于：三明治结构的ZnON薄膜基底上夹层为富氮ZnON薄膜，富氮ZnON薄膜厚度为20‑150纳米，夹层上部的覆盖层为富氧ZnON薄膜，富氧ZnON薄膜厚度为5‑30纳米，基底为硅片、石英、玻璃或柔性衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620088085.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电子控制感应芯片
- 下一篇：mini‑DP电连接器
- 同类专利
- 专利分类
