[实用新型]一种低光衰减率背钝化晶体硅太阳能电池

摘要

本实用新型公开一种低光衰减率背钝化晶体硅太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，该晶体硅太阳能电池由下至上依次包括Ag背电极、Al背电场、SiNx层、AlOx层、P型硅、N+层、减反膜和Ag正电极，还包括设置在P型硅和N+层间的第二掺Ga层、设置在AlOx层和P型硅间的第一掺Ga层；所述SiNx层和AlOx层上分别设有均匀分布的激光槽，所述Al背电场穿过均匀分布的激光槽与第一掺Ga层接触。本实用新型通过在P型硅和N+层间、在AlOx层和P型硅间分别设置掺Ga层，可以大大提高背钝化电池的效率稳定性，降低光衰减率。

主权项

一种低光衰减率背钝化晶体硅太阳能电池，该晶体硅太阳能电池由下至上依次包括Ag背电极(1)、Al背电场(2)、SiNx层(3)、AlOx层(4)、P型硅(5)、N+层(6)、减反膜(7)和Ag正电极(8)，其特征在于：还包括设置在P型硅(5)和N+层(6)间的第二掺Ga层(9)、设置在AlOx层(4)和P型硅(5)间的第一掺Ga层(10)；所述SiNx层(3)和AlOx层(4)上分别设有均匀分布的激光槽，所述Al背电场(2)穿过均匀分布的激光槽与第一掺Ga层(10)接触。