[实用新型]一种高效SiC MOSFET管-IGBT管并联的电路复合器件

摘要

本实用新型属于电子器件领域，尤其涉及一种高效SiC MOSFET管‑IGBT管并联的电路复合器件,所述高效SiC MOSFET管‑IGBT管并联的电路复合器件包括SiC‑MOSFET管和IGBT管，所述SiC MOSFET管‑IGBT管和所述IGBT管并联;本实用新型提供的高效SiC MOSFET管‑IGBT管并联的电路复合器件巧妙利用了SiC‑MOSFET管与IGBT管两种不同器件的优点，避开了他们的缺点，可以明显降低器件损耗，提高变换器的效率，为节能节排做贡献。此外，本电路复合器件适用范围广泛，可以使用于现在IGBT或者SiC MOSFET器件成熟使用的场合，比如buck、boost、有源PFC、逆变器、DCDC变换器等电路。

主权项

一种高效SiC MOSFET管‑IGBT管并联的电路复合器件，其特征在于：所述高效SiC MOSFET管‑IGBT管并联的电路复合器件包括SiC‑MOSFET管和IGBT管，所述SiC‑MOSFET管和所述IGBT管并联。