[实用新型]一种半导体电容结构有效
| 申请号： | 201620100332.1 | 申请日： | 2016-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN205355050U | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 王勇 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;游学明 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体电容结构，它包括基板(1)，基板(1)上设有沟槽(10)；基板上表面覆盖下电极板(2)，下电极板(2)上表面覆盖电介质层(3)，电介质层(3)的上表面覆盖上电极板(4)，其特征在于：所述的沟槽(10)长度为100-400微米，宽度为5-20微米，深度为1-10微米；沟槽彼此间隔1-10微米。本实用新型MIM面积显著缩小，整体电路的面积也显著缩小，减少成本，增加利润。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 电容 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体电容结构，包括基板(1)，基板(1)上设有沟槽(10)；基板上表面覆盖下电极板(2)，下电极板(2)上表面覆盖电介质层(3)，电介质层(3)的上表面覆盖上电极板(4)，其特征在于：所述的沟槽(10)长度为100‑400微米，宽度为5‑20微米，深度为1‑10微米；沟槽彼此间隔1‑10微米。
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