[实用新型]一种PVT法生长碳化硅单晶缓释的装置有效
| 申请号： | 201620103704.6 | 申请日： | 2016-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN205653539U | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 靳丽婕;张云伟 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 101111 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种PVT法生长碳化硅单晶缓释的装置，该装置包括坩埚，所述坩埚上扣合有坩埚盖，所述坩埚盖的内侧固定有籽晶，坩埚内装有碳化硅粉源，坩埚内设置有隔板，所述隔板将所述碳化硅粉源分隔成上下两层，隔板上设置由若干个连通上下两层碳化硅粉源的孔。本实用新型将直通的坩埚内腔分为上下两层，降低了由壁到籽晶的气体传输速率，有效地解决了Si的流失问题，同时又不改变坩埚内温场分布，提高晶体生长质量，增加原料利用率，降低了原料成本，为企业带来效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pvt 生长 碳化硅 单晶缓释 装置 | ||
【主权项】：
一种PVT法生长碳化硅单晶缓释的装置，该装置包括坩埚，所述坩埚上扣合有坩埚盖，所述坩埚盖的内侧固定有籽晶，坩埚内装有碳化硅粉源，其特征在于，坩埚内设置有隔板，所述隔板将所述碳化硅粉源分隔成上下两层，隔板上设置由若干个连通上下两层碳化硅粉源的孔。
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