[实用新型]显示器薄膜晶体管结构及显示器有效
申请号: | 201620104895.8 | 申请日: | 2016-02-02 |
公开(公告)号: | CN205355054U | 公开(公告)日: | 2016-06-29 |
发明(设计)人: | 王迪 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 蔡光仟 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种显示器薄膜晶体管结构及显示器,该显示器薄膜晶体管结构包括形成在基板上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、源极引线、漏极引线、栅极搭界以及介电层,该源极引线与该第一薄膜晶体管的源极相连,该漏极引线与该第一薄膜晶体管的漏极相连,该源极引线与该第二薄膜晶体管的源极之间或者该漏极引线与该第二薄膜晶体管的漏极之间断开形成缺口,该栅极搭界对应于该缺口设置。所述显示器,包括呈阵列排布的多个像素点,每个像素点设有上述的显示器薄膜晶体管结构。通过在原有的像素电路中的薄膜晶体管上并联一个或多个薄膜晶体管作为备份,当原有的薄膜晶体管出现不良时,透过修复方法启用备份薄膜晶体管,能够彻底修复坏点,改变目前只能将亮点变为暗点,而暗点无法修复的现状。 | ||
搜索关键词: | 显示器 薄膜晶体管 结构 | ||
【主权项】:
一种显示器薄膜晶体管结构,其特征在于,包括形成在基板(10)上的第一薄膜晶体管(A)、第二薄膜晶体管(B)、源极引线(11)、漏极引线(12)、栅极搭界(13)以及介电层(14),每一薄膜晶体管(A、B)包括半导体层(21)、栅极(22)、源极(23)和漏极(24),该栅极搭界(13)、该第一薄膜晶体管(A)的栅极(22)以及该第二薄膜晶体管(B)的栅极(22)位于第一金属层中,该源极引线(11)、该漏极引线(12)、该第一薄膜晶体管(A)的源极(23)和漏极(24)以及该第二薄膜晶体管(B)的源极(23)和漏极(24)位于第二金属层中,该源极引线(11)与该第一薄膜晶体管(A)的源极(23)相连,该漏极引线(12)与该第一薄膜晶体管(A)的漏极(24)相连,该源极引线(11)与该第二薄膜晶体管(B)的源极(23)之间或者该漏极引线(12)与该第二薄膜晶体管(B)的漏极(24)之间断开形成缺口(30),该栅极搭界(13)对应于该缺口(30)设置,该介电层(14)设置在该第一金属层与该第二金属层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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