[实用新型]显示器薄膜晶体管结构及显示器有效

专利信息
申请号: 201620104895.8 申请日: 2016-02-02
公开(公告)号: CN205355054U 公开(公告)日: 2016-06-29
发明(设计)人: 王迪 申请(专利权)人: 昆山国显光电有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L27/32
代理公司: 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 代理人: 蔡光仟
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种显示器薄膜晶体管结构及显示器,该显示器薄膜晶体管结构包括形成在基板上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、源极引线、漏极引线、栅极搭界以及介电层,该源极引线与该第一薄膜晶体管的源极相连,该漏极引线与该第一薄膜晶体管的漏极相连,该源极引线与该第二薄膜晶体管的源极之间或者该漏极引线与该第二薄膜晶体管的漏极之间断开形成缺口,该栅极搭界对应于该缺口设置。所述显示器,包括呈阵列排布的多个像素点,每个像素点设有上述的显示器薄膜晶体管结构。通过在原有的像素电路中的薄膜晶体管上并联一个或多个薄膜晶体管作为备份,当原有的薄膜晶体管出现不良时,透过修复方法启用备份薄膜晶体管,能够彻底修复坏点,改变目前只能将亮点变为暗点,而暗点无法修复的现状。
搜索关键词: 显示器 薄膜晶体管 结构
【主权项】:
一种显示器薄膜晶体管结构,其特征在于,包括形成在基板(10)上的第一薄膜晶体管(A)、第二薄膜晶体管(B)、源极引线(11)、漏极引线(12)、栅极搭界(13)以及介电层(14),每一薄膜晶体管(A、B)包括半导体层(21)、栅极(22)、源极(23)和漏极(24),该栅极搭界(13)、该第一薄膜晶体管(A)的栅极(22)以及该第二薄膜晶体管(B)的栅极(22)位于第一金属层中,该源极引线(11)、该漏极引线(12)、该第一薄膜晶体管(A)的源极(23)和漏极(24)以及该第二薄膜晶体管(B)的源极(23)和漏极(24)位于第二金属层中,该源极引线(11)与该第一薄膜晶体管(A)的源极(23)相连,该漏极引线(12)与该第一薄膜晶体管(A)的漏极(24)相连,该源极引线(11)与该第二薄膜晶体管(B)的源极(23)之间或者该漏极引线(12)与该第二薄膜晶体管(B)的漏极(24)之间断开形成缺口(30),该栅极搭界(13)对应于该缺口(30)设置,该介电层(14)设置在该第一金属层与该第二金属层之间。
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