[实用新型]一种用于芯片级封装的肖特基芯片

摘要

本实用新型提供了一种用于芯片级封装的肖特基芯片，该肖特基芯片包括：高掺杂的硅衬底；形成在高掺杂的硅衬底的前表面上的低掺杂的硅外延层；形成在该硅外延层上的肖特基电极、欧姆电极；形成在硅外延层上的用于隔离肖特基电极和欧姆电极的绝缘层；以及围绕肖特基电极的周边设置的保护环；其中硅衬底及硅外延层具有第一导电类型；保护环具有第二导电类型；肖特基电极包括形成在硅外延层的前表面上的肖特基势垒金属以及覆盖在势垒金属上的阳极金属；欧姆电极包括：若干贯穿硅外延层的沟槽、填充所述沟槽的沟槽填充物，以及形成在欧姆电极顶层的阴极联接金属。沟槽填充物具有第一导电类型，且与硅衬底前表面形成电联接。本实用新型通过将肖特基芯片的两个电极设置在硅外延层的同一主表面上，达到了芯片级封装要求封装器件具有近似半导体管芯的尺寸需求。

主权项

一种用于芯片级封装的肖特基芯片，包括：    高掺杂的硅衬底（2）；形成在高掺杂的硅衬底（2）的前表面（2a ）上的低掺杂的硅外延层（3）；形成在该硅外延层（3）上的肖特基电极（4）、欧姆电极（6）；形成在硅外延层（3）上的用于隔离肖特基电极（4）和欧姆电极（6）的绝缘层（7）；以及围绕肖特基电极（4）的周边设置的保护环（41）；所述硅衬底（2）及所述硅外延层（3）具有第一导电类型；所述保护环（41）具有第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型导电性相反；所述肖特基电极（4）包括形成在硅外延层的前表面（3a）上的肖特基势垒金属（42）以及覆盖在势垒金属（42）上的阳极金属（43）；所述欧姆电极（6）的构成包括：若干贯穿硅外延层（3）的沟槽、填充所述沟槽的沟槽填充物（61），以及形成在欧姆电极顶层的阴极联接金属；所述沟槽填充物（61）导电且具有第一导电类型，所述沟槽填充物（61）与所述阴极联接金属、以及硅衬底的前表面（2a）形成电联接。