[实用新型]具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具有效
| 申请号： | 201620110182.2 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN205488086U | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 赖奕诚;赖奕儒 | 申请（专利权）人： | 宸榤精机股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，适用于连接至一个抽气装置，并包含一个吸附头座及一个弹性接触层。该吸附头座包括一个基座本体、一个形成于该基座本体底面并环绕界定出一个中岛的沟槽、多个贯穿该基座本体且分布于该沟槽与该中岛的第一通孔，及一个形成于该基座本体的顶面且连通所述第一通孔的容置凹槽。该弹性接触层设置于该容置凹槽，并包括一个呈水平的接触面，及多个贯穿该接触面且分别连通所述第一通孔的第二通孔。本实用新型通过在该基座本体的底面设置该沟槽，增加位于该沟槽的所述第一通孔的气体流动空间，进而增强相对应的第二通孔的吸力，达到提高产品良率的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 吸附性 晶片 切割 吸附 式治具 | ||
【主权项】：
一种具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，适用于连接至一个抽气装置，该具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具包含一个吸附头座及一个弹性接触层，该吸附头座包括一个连接至该抽气装置的基座本体、多个分别贯穿该基座本体的两相反侧面的第一通孔，及一个形成于该基座本体的顶面且连通所述第一通孔的容置凹槽，该弹性接触层设置于该容置凹槽，并包括一个呈水平的接触面，及多个贯穿该接触面且分别连通所述第一通孔的第二通孔，其特征在于：该吸附头座还包括一个形成于该基座本体底面并环绕界定出一个中岛的沟槽，所述第一通孔分布于该沟槽与该中岛。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
