[实用新型]一种垂直结构芯片有效
| 申请号： | 201620112038.2 | 申请日： | 2016-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN205657078U | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 曲晓东;朱浩 | 申请（专利权）人： | 易美芯光(北京)科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区亦庄经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种垂直结构芯片，该垂直结构芯片由中心区域及位于中心区域四周的边缘区域构成。其中，中心区域从下到上依次包括：目标衬底、第一P面金属层、P型GaN层、活性层、N型GaN层以及N电极；边缘区域从下到上依次包括：目标衬底、第二P面金属层、绝缘层、N型GaN层以及N电极。绝缘层位于边缘区域中的N型GaN层和第二P面金属层之间、以及位于中心区域中的P型GaN层和活性层的侧壁。由于将P‑GaN和活性层的侧壁绝缘后隐藏于芯片内部，而不裸露于芯片侧面，因此，有效降低了LED芯片侧面上载流子的复合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 芯片 | ||
【主权项】：
一种垂直结构芯片，其特征在于，所述垂直结构芯片由中心区域及位于所述中心区域四周的边缘区域构成，其中，所述中心区域从下到上依次包括：目标衬底、第一P面金属层、P型GaN层、活性层、N型GaN层以及N电极；所述边缘区域从下到上依次包括：目标衬底、第二P面金属层、绝缘层、N型GaN层以及N电极；所述绝缘层位于所述边缘区域中的N型GaN层和第二P面金属层之间、以及位于所述中心区域中的P型GaN层和活性层的侧壁。
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