[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201620127550.4 | 申请日： | 2016-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN205582918U | 公开（公告）日： | 2016-09-14 |
| 发明（设计）人： | 山田健太郎;都丸成树;福岛武利 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 权太白;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体装置，能够提高半导体装置的可靠性。半导体装置(1)具有：半导体基板；多个配线层(5、7、9)，形成于半导体基板(1P)上；焊盘(9a)，形成于多个配线层(5、7、9)的最上层；表面保护膜(10)，由无机绝缘膜构成且在焊盘上具有开口；再设配线(12)，形成于表面保护膜(10)上；以及焊盘电极(13)，是用于连接导线(20)的区域，并且形成于再设配线(12)上。再设配线(12)由搭载有焊盘电极(13)的焊盘电极搭载部、与焊盘连接的连接部以及将焊盘电极搭载部与连接部连结的延长配线部构成，在俯视时，焊盘电极搭载部(13)是长方形。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体基板；多个配线层，形成于所述半导体基板上；焊盘，形成于所述多个配线层的最上层；表面保护膜，由无机绝缘膜构成且在所述焊盘上具有开口；再设配线，形成于所述表面保护膜上；以及焊盘电极，是用于连接导线的区域，并且形成于所述再设配线上，所述再设配线由搭载有所述焊盘电极的焊盘电极搭载部、与所述焊盘连接的连接部以及将所述焊盘电极搭载部与所述连接部连结的延长配线部构成，在俯视时，所述焊盘电极搭载部是长方形。
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