[实用新型]级联开关结构有效
| 申请号： | 201620131891.9 | 申请日： | 2015-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN205542793U | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | B·帕德玛纳伯翰;P·文卡特拉曼;Z·豪森;刘春利;J·麦克唐纳 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L27/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及级联开关结构。级联开关结构包括：III‑V族晶体管结构，具有第一载流电极、第二载流电极和第一控制电极；半导体MOSFET器件，具有电耦接到第二载流电极的第三载流电极、电耦接到第一控制电极的第四载流电极和第二控制电极；第一二极管，具有电耦接到第一载流电极的第一阴极电极和第一阳极电极；以及第二二极管，具有电耦接到第一电极的第二阳极和电耦接到第四载流电极的第二阴极。本公开一个实施例解决的一个问题是提供半导体器件以提高异质结功率器件的耐用性。根据本公开一个实施例的一个用途是提供了改善的半导体器件，其是成本有效的、对生产集成是高效的并且不影响器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 级联 开关 结构 | ||
【主权项】：
一种级联开关结构，其特征在于，所述级联开关结构包括：III‑V族晶体管结构，具有第一载流电极、第二载流电极和第一控制电极；半导体MOSFET器件，具有电耦接到第二载流电极的第三载流电极、电耦接到第一控制电极的第四载流电极和第二控制电极；第一二极管，具有电耦接到第一载流电极的第一阴极电极和第一阳极电极；以及第二二极管，具有电耦接到第一电极的第二阳极和电耦接到第四载流电极的第二阴极。
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