[实用新型]一种多射频中转物联网工业级装置有效
| 申请号： | 201620133844.8 | 申请日： | 2016-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN205453680U | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 高尚 | 申请（专利权）人： | 高尚 |
| 主分类号： | H04B1/40 | 分类号： | H04B1/40 |
| 代理公司： | 北京远创理想知识产权代理事务所(普通合伙) 11513 | 代理人： | 卫安乐 |
| 地址： | 211111 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种多射频中转物联网工业级装置，包括逻辑控制芯片、第一SDRAM存储芯片、第二SDRAM存储芯片、用于提供数据接入的数据信道射频芯片组、用于上传数据的中转信道射频芯片组；其中所述逻辑控制芯片连接所述数据信道射频芯片组、中转信道射频芯片组；所述数据信道射频芯片组连接所述第一SDRAM存储芯片，所述中转信道射频芯片组连接所述第二SDRAM存储芯片；所述第一SDRAM存储芯片、第二SDRAM存储芯片相互连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 中转 联网 工业 装置 | ||
【主权项】：
一种多射频中转物联网工业级装置，其特征在于，包括逻辑控制芯片、第一SDRAM存储芯片、第二SDRAM存储芯片、用于提供数据接入的数据信道射频芯片组、用于上传数据的中转信道射频芯片组；其中所述逻辑控制芯片连接所述数据信道射频芯片组、中转信道射频芯片组；所述数据信道射频芯片组连接所述第一SDRAM存储芯片，所述中转信道射频芯片组连接所述第二SDRAM存储芯片；所述第一SDRAM存储芯片、第二SDRAM存储芯片相互连接；其中，所述数据信道射频芯片组包括一个数据信道射频芯片，或包括多个相互并联的数据信道射频芯片；所述中转信道射频芯片组包括一个中转信道射频芯片，或包括多个相互并联的中转信道射频芯片；其中，所述逻辑控制芯片为可编程逻辑控制芯片；其中所述多射频中转物联网工业级装置还包括处理器芯片，所述第一SDRAM存储芯片、第二SDRAM存储芯片通过所述处理器芯片相互连接；其中所述射频中转物联网工业级装置的数据信道射频芯片组中的数据信道射频芯片连接节点设备；且所述多射频中转物联网工业级装置的中转信道射频芯片组中的中转信道射频芯片连接级联的另一多射频中转物联网工业级装置或接收服务器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高尚，未经高尚许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620133844.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种无线数据监测装置
- 下一篇：天线内置的对讲机
