[实用新型]垂直导电集成电子器件有效
| 申请号： | 201620144198.5 | 申请日： | 2016-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN205488136U | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | D·G·帕蒂;A·G·格里马尔迪 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 本实用新型涉及垂直导电集成电子器件。一种垂直导电集成电子器件，包括：半导体本体(12)；沟槽(22)，其延伸穿过半导体本体的部分并且定界半导体本体的一部分(24)，其形成具有第一导电类型的第一导电区(16)和被布置在第一导电区上面的具有第二导电类型的体区(40)；导电材料的栅极区(30)，其在沟槽内延伸；介电材料的绝缘区(39a)，其在沟槽内延伸并且被布置在栅极区与体区之间；和第二导电区(20)，其覆盖体区。第二导电区由导体形成。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 导电 集成 电子器件 | ||
【主权项】：
一种垂直导电集成电子器件，其特征在于，包括：‑半导体本体(12)；‑沟槽(22)，其延伸穿过所述半导体本体的部分并且定界所述半导体本体的一部分(24)，半导体本体的所述一部分形成具有第一导电类型的第一导电区和被布置在所述第一导电区上面的具有第二导电类型的体区(40)；‑导电材料的栅极区(30)，其在所述沟槽内延伸；‑介电材料的绝缘区(39a)，其在所述沟槽内延伸并且被布置在所述栅极区与所述体区之间；和‑第二导电区(20)，被布置在所述体区上面；并且其中所述第二导电区由导体制成。
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