[实用新型]集成电路有效
申请号: | 201620144221.0 | 申请日: | 2016-02-25 |
公开(公告)号: | CN205680680U | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | M·利萨特;N·博瑞尔 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(鲁塞)公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;吕世磊 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本公开涉及一种集成电路,包括以交替和连续的方式被布置在第二导电类型的区域上的第一导电类型的多个第一半导体条带和第二导电类型的多个第二半导体条带,针对每个所述第一半导体条带包括:多个偏置触点;针对每个偏置触点,能够在所述偏置触点上施加电势的开关;两个检测触点,被布置在所述第一半导体条带的端部处;以及检测电路,其激活引起所述开关的关断以及与所述检测触点之间的电阻的阈值之间的比较。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 | ||
【主权项】:
一种集成电路,其特征在于,包括以交替和连续的方式被布置在第二导电类型的区域(5;3)上的第一导电类型的多个第一半导体条带(7;9)和所述第二导电类型的多个第二半导体条带(9;7),针对每个所述第一半导体条带包括:多个偏置触点(11;13);针对每个偏置触点,能够在所述偏置触点上施加电势(GND;VDD)的开关(52;92);两个检测触点(56,58),被布置在所述第一半导体条带的端部处;以及检测电路(60;80),其激活引起所述开关的关断以及与所述检测触点之间的参考阈值之间的比较。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的