[实用新型]高压氮化镓肖特基二极管有效
| 申请号： | 201620147582.0 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN205406530U | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | A·伊万 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(图尔)公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 为了降低导通状态中的电阻，本公开提供高压氮化镓肖特基二极管。肖特基二极管形成在硅支撑部上。非掺杂GaN层覆在硅支撑部上面。AlGaN层覆在非掺杂GaN层上面。形成欧姆接触的第一金属化层和形成肖特基接触的第二金属化层被设置在AlGaN层中和AlGaN层上。第一过孔从第一金属化层朝向硅支撑部延伸。第二过孔从第二金属化层朝向上表面延伸。根据实施例的肖特基二极管的优点在于导通状态中电阻低。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 氮化 镓肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，其特征在于，在下表面和上表面之间包括：硅支撑部；非掺杂GaN层；AlGaN层；第一金属化层，穿过所述AlGaN层延伸，形成欧姆接触；第二金属化层，在所述AlGaN层上，形成肖特基接触；第一过孔，从所述第一金属化层朝向所述下表面延伸；以及第二过孔，从所述第二金属化层朝向所述上表面延伸。
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