[实用新型]一种具有复合结构的氮化物缓冲层有效
| 申请号： | 201620157950.X | 申请日： | 2016-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN205406555U | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | 陈凯轩;姜伟;卓祥景;方天足;汪洋;童吉楚 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 廖吉保;唐绍烈 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种具有复合结构的氮化物缓冲层，在衬底上生长AlN缓冲层，在AlN缓冲层上依次生长由下层为AlN层和上层为GaN层构成的多组复合结构缓冲层，每一组复合结构缓冲层的厚度相同，多组复合结构缓冲层中的AlN层的厚度沿生长方向逐渐减小直至为零，多组复合结构缓冲层中的GaN层的厚度沿生长方向逐渐增大。并且每一组复合结构缓冲层中的AlN层和GaN层的厚度都分别小于其应力完全释放时的临界厚度。本实用新型可以避免在GaN外延层中产生失配位错，从而提高器件的性能和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 复合 结构 氮化物 缓冲 | ||
【主权项】：
一种具有复合结构的氮化物缓冲层，其特征在于：在衬底上生长AlN缓冲层，在AlN缓冲层上依次生长由下层为AlN层和上层为GaN层构成的多组复合结构缓冲层，每一组复合结构缓冲层的厚度相同，多组复合结构缓冲层中的AlN层的厚度沿生长方向逐渐减小直至为零，多组复合结构缓冲层中的GaN层的厚度沿生长方向逐渐增大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门乾照光电股份有限公司，未经厦门乾照光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620157950.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种柔性LED灯的蓝宝石衬底
- 下一篇：紫外GaN基LED外延结构
