[实用新型]一种具有内外射频电极的静电吸盘有效
| 申请号： | 201620158289.4 | 申请日： | 2016-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN205692814U | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 睢智峰 | 申请（专利权）人： | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型是一种具有内外射频电极的静电吸盘，该静电吸盘上沿径向划分设有至少两个独立的射频电极，每个独立的射频电极连接独立的射频电源和射频匹配网络。本实用新型把单电极静电吸盘的电极沿着径向分成内射频电极和外射频电极，内外电极连接独立的射频电源和射频匹配网络，内外射频电源的频率可以是同频率,也可以是不同频率，内外射频电源的功率可以独立控制用于改善晶圆刻蚀的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 内外 射频 电极 静电 吸盘 | ||
【主权项】：
一种具有内外射频电极的静电吸盘，其特征在于：该静电吸盘上沿径向划分设有至少两个独立的射频电极，每个独立的射频电极连接独立的射频电源和射频匹配网络。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海陛通半导体能源科技股份有限公司，未经上海陛通半导体能源科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620158289.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于染片机的染片放置机构
- 下一篇：单相外转子电机及其定子
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
