[实用新型]一种非对称快速晶闸管有效
申请号: | 201620163515.8 | 申请日: | 2016-03-03 |
公开(公告)号: | CN205406527U | 公开(公告)日: | 2016-07-27 |
发明(设计)人: | 王耀先 | 申请(专利权)人: | 襄阳硅海电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/74 | 分类号: | H01L29/74;H01L29/06 |
代理公司: | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人: | 冯子玲 |
地址: | 441000 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种非对称快速晶闸管,包括晶闸管本体,所述晶闸管本体从上至下依次设置有第二N型硅片层、第二P型硅片层、第一N型硅片层和第一P型硅片层,所述第一N型硅片层和第一P型硅片层之间设置有扩散层,且扩散层的厚度不大于第一N型硅片层的厚度,所述晶闸管本体的上端面电连接有阴极接线柱和门极接线柱,且阴极接线柱位于门极接线柱的左侧,所述晶闸管本体的下端电连接有阳极接线柱,该非对称快速晶闸管电流密度高、速度快、开关柔软、漏电量小。 | ||
搜索关键词: | 一种 对称 快速 晶闸管 | ||
【主权项】:
一种非对称快速晶闸管,包括晶闸管本体(1),其特征在于:所述晶闸管本体(1)从上至下依次设置有第二N型硅片层(9)、第二P型硅片层(6)、第一N型硅片层(2)和第一P型硅片层(3),所述第一N型硅片层(2)和第一P型硅片层(3)之间设置有扩散层(5),且扩散层(5)的厚度不大于第一N型硅片层(2)的厚度,所述晶闸管本体(1)的上端面电连接有阴极接线柱(7)和门极接线柱(8),且阴极接线柱(7)位于门极接线柱(8)的左侧,所述晶闸管本体(1)的下端电连接有阳极接线柱(4)。
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