[实用新型]一种具有耐高温功能的晶闸管有效
| 申请号： | 201620163556.7 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN205542799U | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 杨景仁 | 申请（专利权）人： | 襄阳硅海电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/87 | 分类号： | H01L29/87;H01L29/08 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 冯子玲 |
| 地址： | 441000 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有耐高温功能的晶闸管，包括管壳和半导体芯片，所述管壳包裹在半导体芯片外围，所述半导体芯片由下向上依次排列阳极钼片、P1阳极发射区、N1长基区、P2短基区和N2阴极发射区，所述P1阳极发射区的厚度不超过70微米，所述N1长基区厚度不低于100微米，所述阳极钼片和P1阳极发射区之间设置厚度为3‑8微米的P+高浓度区。该晶闸管具有较厚的基区，从而减弱电场，达到减少漂移电流，避免阳极电流增大致使晶闸管误开通的目的；而高浓度P+区的加入利于基区离子注入，加强了电导调制效应，明显降低压降和功耗，同时可以有效阻止空间电荷区的扩展，解决了压降增大和降低工作电压两个问题，提高器件的结温和单位面积的电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 耐高温 功能 晶闸管 | ||
【主权项】：
一种具有耐高温功能的晶闸管，包括管壳(9)和半导体芯片(10)，所述管壳(9)包裹在半导体芯片(10)外围，所述半导体芯片(10)由下向上依次排列阳极钼片(6)、P1阳极发射区(4)、N1长基区(3)、P2短基区(2)和N2阴极发射区(1)，其特征在于：所述P1阳极发射区(4)的厚度不超过70微米，所述N1长基区(3)厚度不低于100微米，所述阳极钼片(6)和P1阳极发射区(4)之间设置厚度为3‑8微米的P+高浓度区(5)。
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