[实用新型]铝栅CMOS双层金属布线的版图结构有效
| 申请号： | 201620169331.2 | 申请日： | 2016-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN205752106U | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 陈军建 | 申请（专利权）人： | 陈军建 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 050700 河北省新*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用公开了一种铝栅CMOS双层金属布线的版图结构。其包括：叠加在MOS晶体管层之上，通过通孔实现电路连接的第一金属层；叠加在第一金属层之上，通过制作通孔进行电路连接的第二金属层以及设置在第一金属层和第二金属层之间的绝缘介质隔离层。所述第二金属层可以只用作压焊点设计。当需要时，所述第二金属层亦可通过制作通孔进行其它电路连接，完成集成电路内部电路设计。所述制作连接第一金属层和第二金属层的通孔(via)结构，具有工艺简单可靠的特点。使用该双层金属布线的制作工艺和结构方式，可有效的提高铝栅CMOS集成度，降低生产成本，使产品具有良好的市场竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 铝栅 cmos 双层 金属 布线 版图 结构 | ||
【主权项】：
铝栅CMOS双层金属布线的版图结构，其特征在于，所述版图结构包括：第一金属层、层叠在第一金属层上的第二金属层以及设置在第一金属层和第二金属层之间的绝缘介质隔离层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
