[实用新型]一种紫外激光光刻装置有效
| 申请号： | 201620173329.2 | 申请日： | 2016-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN205507356U | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 何键云 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种紫外激光光刻装置，包括：紫外激光发生器和聚光镜组；所述紫外激光发生器用于发射紫外激光；所述聚光镜组用于将所述紫外激光聚集形成高能量的紫外激光点。其中，采用紫外激光发生器对半导体晶圆直接进行曝光，无需通过掩膜版来曝光形成所需图案。在曝光的过程中，紫外激光发生器出射紫外激光的路径上具有聚光镜组，从而可以通过调节紫光激光的能量和大小，进而可以采用尽可能高的能量和尽可能小的激光点进行曝光，以满足超精细图案的光刻要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 激光 光刻 装置 | ||
【主权项】：
一种紫外激光光刻装置，包括：紫外激光发生器和聚光镜组；所述紫外激光发生器用于发射紫外激光；所述聚光镜组用于将所述紫外激光聚集形成高能量的紫外激光点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市国星半导体技术有限公司，未经佛山市国星半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620173329.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种利用硫酸烧渣生产金属铁和耐温金属的方法
- 下一篇：制备硅铁的方法
