[实用新型]低压大电流硅NPN型功率晶体管有效
| 申请号： | 201620174130.1 | 申请日： | 2016-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN205406526U | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | 龚利汀;陈丽兰;龚利贞 | 申请（专利权）人： | 无锡固电半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/10;H01L29/08;H01L29/06;H01L27/082 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;屠志力 |
| 地址： | 214062 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种低压大电流硅NPN型功率晶体管，包括N型衬底，还包括形成于N型衬底背面的背面金属层，用于形成晶体管的集电极；N型衬底的上方中间形成有P型基区，P型基区四周被P+型基区包围；P型基区的上方覆盖有基区金属层，用于形成晶体管的基极；P型基区的正面形成有N+型发射区，N+型发射区的上方覆盖有发射区金属层，用于形成晶体管的发射极；发射区金属层和基区金属层相互隔离；衬底的顶部覆盖有绝缘介质层，绝缘介质层上方形成有表面保护阻挡层；N型衬底的正面边缘四周形成有沟槽，沟槽的内部覆盖有钝化膜。本实用新型具有可靠性高，漏电小，抗烧毁能力强，电流大，开关时间速度快等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 低压 电流 npn 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种低压大电流硅NPN型功率晶体管，包括N型衬底，其特征在于，还包括：形成于N型衬底背面的背面金属层(10)，用于形成晶体管的集电极；N型衬底的上方中间形成有P型基区（5），P型基区（5）四周被P+型基区（6）包围；P型基区（5）的上方覆盖有基区金属层（1），用于形成晶体管的基极；P型基区（5）的正面形成有N+型发射区（4），N+型发射区（4）的上方覆盖有发射区金属层（2），用于形成晶体管的发射极；发射区金属层（2）和基区金属层（1）相互隔离；衬底的顶部覆盖有绝缘介质层(3)，绝缘介质层（3）上方形成有表面保护阻挡层（12）；N型衬底的正面边缘四周形成有沟槽（8），沟槽（8）的内部覆盖有钝化膜（11）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡固电半导体股份有限公司，未经无锡固电半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620174130.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
