[实用新型]一种温度控制开关的有机异质结光敏场效应晶体管有效

专利信息
申请号: 201620176284.4 申请日: 2016-03-08
公开(公告)号: CN205406567U 公开(公告)日: 2016-07-27
发明(设计)人: 钱宏昌;唐莹;韦一;彭应全 申请(专利权)人: 中国计量学院
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型提供的一种温度控制开关的有机异质结光敏场效应晶体管,改善了现有的有机场效应晶体管输出电流小的问题,并使其具有温度控制开关的功能,包括衬底(1)、开关电极(2)、栅电极(3)、绝缘层(4)、光敏有机半导体层(5)、电子传输层(6)、第一缓冲层(701)、第二缓冲层(702)、源电极(801)、漏电极(802)、第一封装层(9)、第二封装层(10)。
搜索关键词: 一种 温度 控制 开关 有机 异质结 光敏 场效应 晶体管
【主权项】:
一种温度控制开关的有机异质结光敏场效应晶体管,其特征在于,包括衬底(1)、开关电极(2)、栅电极(3)、绝缘层(4)、光敏有机半导体层(5)、电子传输层(6)、第一缓冲层(701)、第二缓冲层(702)、源电极(801)、漏电极(802)、第一封装层(9)、第二封装层(10);其中:开关电极位于衬底之上,由具有相变性质的二氧化钒薄膜构成;栅电极位于开关电极之上,绝缘层位于栅电极之上,光敏有机半导体层位于绝缘层之上,电子传输层位于光敏有机半导体层之上,光敏有机半导体层和电子传输层形成体异质结;第一缓冲层、第二缓冲层分别位于光敏有机半导体上方两侧,中间未覆盖缓冲层部分形成沟道;源电极、漏电极分别位于第一缓冲层、第二缓冲层之上,宽度与第一缓冲层、第二缓冲层相等;第一封装层、第二封装层依此叠加在制备好第一缓冲层、第二缓冲层、源电极和漏电极的光敏有机半导体层之上。
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