[实用新型]一种温度控制开关的有机异质结光敏场效应晶体管有效
申请号: | 201620176284.4 | 申请日: | 2016-03-08 |
公开(公告)号: | CN205406567U | 公开(公告)日: | 2016-07-27 |
发明(设计)人: | 钱宏昌;唐莹;韦一;彭应全 | 申请(专利权)人: | 中国计量学院 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型提供的一种温度控制开关的有机异质结光敏场效应晶体管,改善了现有的有机场效应晶体管输出电流小的问题,并使其具有温度控制开关的功能,包括衬底(1)、开关电极(2)、栅电极(3)、绝缘层(4)、光敏有机半导体层(5)、电子传输层(6)、第一缓冲层(701)、第二缓冲层(702)、源电极(801)、漏电极(802)、第一封装层(9)、第二封装层(10)。 | ||
搜索关键词: | 一种 温度 控制 开关 有机 异质结 光敏 场效应 晶体管 | ||
【主权项】:
一种温度控制开关的有机异质结光敏场效应晶体管,其特征在于,包括衬底(1)、开关电极(2)、栅电极(3)、绝缘层(4)、光敏有机半导体层(5)、电子传输层(6)、第一缓冲层(701)、第二缓冲层(702)、源电极(801)、漏电极(802)、第一封装层(9)、第二封装层(10);其中:开关电极位于衬底之上,由具有相变性质的二氧化钒薄膜构成;栅电极位于开关电极之上,绝缘层位于栅电极之上,光敏有机半导体层位于绝缘层之上,电子传输层位于光敏有机半导体层之上,光敏有机半导体层和电子传输层形成体异质结;第一缓冲层、第二缓冲层分别位于光敏有机半导体上方两侧,中间未覆盖缓冲层部分形成沟道;源电极、漏电极分别位于第一缓冲层、第二缓冲层之上,宽度与第一缓冲层、第二缓冲层相等;第一封装层、第二封装层依此叠加在制备好第一缓冲层、第二缓冲层、源电极和漏电极的光敏有机半导体层之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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