[实用新型]一种功率半导体模块有效
| 申请号： | 201620178345.0 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN205428913U | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 吴晓诚 | 申请（专利权）人： | 上海道之科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 翁霁明 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种功率半导体模块，它包括散热基板、双面覆铜陶瓷基板、二极管芯片、IGBT芯片、硅凝胶、外壳、功率端子、信号引线和信号端子，IGBT芯片和二极管芯片通过钎焊连接到双面覆铜陶瓷基板上，该双面覆铜陶瓷基板通过钎焊连接到散热基板上，芯片之间通过铝线的超声波键合实现电气连接，硅凝胶将芯片、铝线和双面覆铜陶瓷基板覆盖住，所述的功率端子和信号端子分别进行功率半导体模块功率和信号的输入与输出，且所述信号引线与信号端子之间使用电阻焊连接；本实用新型简化了功率半导体模块封装过程中信号引线和信号端子的连接步骤，提高生产效率并降低了生产成本，提高产品的可靠性，生产过程更环保。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 模块 | ||
【主权项】：
一种功率半导体模块，它包括散热基板、双面覆铜陶瓷基板、二极管芯片、IGBT芯片、硅凝胶、外壳、功率端子、信号引线和信号端子，IGBT芯片和二极管芯片通过钎焊连接到双面覆铜陶瓷基板上，该双面覆铜陶瓷基板通过钎焊连接到散热基板上，芯片之间通过铝线的超声波键合实现电气连接，硅凝胶将芯片、铝线和双面覆铜陶瓷基板覆盖住，其特征在于所述的功率端子和信号端子分别进行功率半导体模块功率和信号的输入与输出，且所述信号引线与信号端子之间使用电阻焊连接。
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