[实用新型]一种功率MOSFET封装热阻比较装置有效
| 申请号： | 201620180738.5 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN205484685U | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 刘义芳 | 申请（专利权）人： | 西安后羿半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郭永丽 |
| 地址： | 710054 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种功率MOSFET封装热阻比较装置，包括可调直流电源、开关电源、恒流控制板、双路点温计、功率MOSFET和散热器，其中功率MOSFET压接在散热器上；恒流控制板精确控制不同的功率MOSFET工作在放大区并保证相同的功率耗散，通过双路点温计测量功率MOSFET表面和位于其下部的散热器上的温度。本实用新型通过恒流控制板的控制作用，使流过功率MOSFET的电流得到精确控制，极大减小了由于不同功率MOSFET存在的开启电压差异而导致的电流差异。同时，在相同的功率耗散条件下，通过双路点温计测量功率MOSFET表面和位于其下部的散热器上的温度，可以较快捷并准确地比较出不同功率MOSFET封装热阻的大小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 mosfet 封装 比较 装置 | ||
【主权项】：
一种功率MOSFET封装热阻比较装置，其特征在于，包括可调直流电源、开关电源、恒流控制板、双路点温计、功率MOSFET和散热器，其中所述功率MOSFET压接在所述散热器上；所述可调直流电源的输出正极与所述功率MOSFET的漏极连接，输出负极与所述恒流控制板的电源负极连接；所述开关电源的输出正级与所述恒流控制板的电源正极连接，输出负极与所述恒流控制板的电源负极连接；所述恒流控制板的驱动端和回流端分别与所述功率MOSFET的栅极和源极连接，所述双路点温计的两路探头分别测量所述功率MOSFET的表面温度以及所述散热器上位于所述功率MOSFET下部位置处的温度。
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